全球第二大半导体存储供应商，韩国 SK 海力士半导体近日宣布投资 3.16 万亿韩元(合 26 亿美元)提升存储芯片产能，来满足智能手机、电脑等设备对更大存储容量的需求。

这笔投资中，有 2.21 万亿韩元会被用来在首尔南部城市清州建设一个新的闪存(NAND flash)芯片工厂，这些芯片主要是供应给存储容量越来越大的智能手机产品。

剩下的 9500 亿韩元则会用来在中国无锡开一个新的 DRAM 工厂，也就是我们平常所说的手机内存(RAM)。

2015 年，SK 海力士号称总共投入了 46 万亿韩元来扩大存储芯片产能。

随着今年智能手机市场的主流配置进入 4GB RAM+64GB ROM 阶段，全球数百个手机厂商对上游存储芯片的需求比从前更加旺盛。

三星、SK 海力士、东芝、英特尔、美光等主要的几家闪存颗粒制造商除了扩大产能，还在技术和工艺上进行革新。

最大的改进是从 2D NAND 逐渐向 3D NAND 演进。简单理解 2D NAND，其实是将闪存颗粒按照传统的二维平面进行排布。它的一个缺点是，存储大量数据时很容易达到物理极限。

而 3D NAND 则在垂直方向上拓展，将原本的平面排布进行堆叠。根据颗粒的种类和堆叠层数，目前 3D NAND 又分为 32、48、64 层 TLC/MLC 颗粒。

按照 SK 海力士的技术路线图，这家公司 2017 年会推出 72 层的 3D NAND 闪存颗粒，以满足更高的读写速率和更大的存储容量。

市场研究机构 TrendForce 的最新研究报告显示，不少闪存颗粒原厂已经削减了 2017 年 j2D NAND 的产能，全球 NAND 晶片整体产能提升预计只有 6%。继续使用 2D NAND 闪存的手机厂商可能会面临全年缺货的局面。

除了手机、电脑必需的存储元件，摄像头、屏幕、处理器等关键元部件供应商也在加大投入。

11 月初，在 A 股上市的相机模组厂商深圳欧菲光用 2.34 亿美元收购了索尼在广州的摄像头工厂。

12 月初，从事处理器研发的北京君正科技用 120 亿人民币收购了北京豪威 OmniVision 100% 股权。在全球手机图像传感器市场，豪威的出货量和营收规模仅次于索尼和三星，排名第三。

欧菲光和君正科技显然都非常看好未来两年内手机摄像头出货量的增长。根据此前的预测，到 2018 年双摄机型的市场渗透率将会超过 40%，手机摄像头每年的需求量将达 45.7 亿颗，市场规模达到 188 亿美元，而去年全球 CMOS 市场的产值才只有 103 亿美元。

OLED 屏幕方面，国内的京东方、天马、华星光电等制造商也陆续开始投入量产。虽然从技术和品相来看，国产 OLED 屏幕虽然跟三星、LG 的产品还有差距，但在成本控制严格的中低端机型上，它们的屏幕仍然具备一定的价格优势。

就智能手机行业整体而言，明年的趋势很明显是曲面 OLED 屏、双摄像头、以及容量更大速度更快的存储组合。

对于手机厂商而言，硬件部分多出来的物料成本很可能要体现在最终售价上。经过 2016 一年的调整，明年的竞争关键档位可能会聚焦在 2000 元以上。

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