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三星基于3bit TLC闪存的服务器级PM853T SSD

2014-04-29 09:00:12    cnBeta  参与评论()条

    在发展初期,固态硬盘(SSD)仅采用可靠性极高的“单比特”SLC NAND Flash。而后,每单元“双比特”的MLC产品,亦通过不错的性价比优势,变得渐为流行。但是现在,三星决定将基于“三比特”TLC闪存的产品,大力推向服务器领域。而打头阵的,则是本文要介绍的新款PM853T服务器级SSD。

三星基于3bit TLC闪存的服务器级PM853T SSD

    据官方新闻稿表示,PM853T早已进入量产阶段,并且预计3-bit SSD会很快取代2-bit产品在数据中心的位置。

    容量方面,三星提供240/480/960GB三种规格。产品的持续读写速度可达530MB/s和420MB/s,随机读写速度为90000/14000 IOPS(写入性能受TLC NAND所限)。

    闪存方面,三星表示其采用了“10nm级别”的制程,但它应该会与840 EVO消费级产品线的19nm TLC NAND类似。

    与闪存一样,主控芯片也是三星自家出品。PM853T的主控或许与消费级EVO产品线类似,但是不知其有无写入缓存。

    显然,耐久度是TLC NAND所面临的最大问题。三星给出的数据是,在“随机4K写入负载下”,240GB型号可良好写入165TB的数据、480GB型号为330TB、960GB型号为665TB。

    

(责任编辑:CT008)
 
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