松下利用有机光敏薄膜CMOS图像传感器研发出行业首创*1的123dB同步拍摄宽动态范围技术

2016-02-16 11:17:47      参与评论()人

日本大阪--(美国商业资讯)--松下公司今日宣布已研发出一项全新的宽动态范围^[1]技术，该技术利用具备有机光敏薄膜(OPF) ^*2的CMOS图像传感器可以将同步拍摄宽动态范围^[2]的宽度提高100倍。
凭借有机光敏薄膜CMOS图像传感器，可独立设置电荷存储功能和光电转换功能。通过利用有机光敏薄膜CMOS图像传感器的这一独特功能，可以避免强光条件下的曝光过度，而且运动物体拍摄不存在时间失真。此外，即使在弱光条件下，依然可以再现清晰、纹理丰富的图像。这些技术支持高速、高精度成像，在高对比度场景中不存在时间失真。- 更多 -

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这一新开发的宽动态范围技术支持在高对比度情况下（背光场景或摄影棚照明条件下）精确成像和再现更丰富的色调。此外，无需合成在不同时刻拍摄的多重曝光数据，因此，支持对高速运动物体进行精确成像。因此，这项技术支持高速、高精度和宽动态范围成像和感测。

这项新技术提供下列优点。

1. 宽入射角度（60度）、高灵敏度、高饱和度和功能强大的电路，其得益于有机光敏薄膜的独特功能，允许用于光电转换和读出电路的有机光敏薄膜彼此独立。
2. 123dB同步拍摄宽动态范围（宽度是普通硅图像传感器^*3的100倍），同时维持传统的芯片尺寸，这得益于我们原创的“同步拍摄结构”。

这一宽动态范围技术包括下列技术：

1. 有机光敏薄膜CMOS图像传感器设计技术，其中，光电转换部分和电路部分可独立设计。
2. 双敏像素技术(Dual-Sensitivity Pixel Technology)，其在单个像素内具有两个灵敏度感测单元（一个用于高光，一个用于暗光），利用其高饱和度性能和有机光敏薄膜CMOS图像传感器灵敏度设置的灵活性，以便实现同步拍摄宽动态范围。
3. 电容耦合噪声消除器技术，可消除像素复位噪声，以提高黑暗物体成像时的 S/N^[3]特性。

松下拥有58项有关该技术的日本专利和44项国外专利（包括申请中的专利）。

在2016年1月31日至2月4日于美国旧金山举行的国际学术会议：2016年国际固态电子电路会议(ISSCC)上，松下展示了这些技术中的部分技术。

注：
*1:截至2016年2月2日，根据松下的现有数据。
*2:我们采用由富士胶片公司(Fujifilm Corporation)开发的有机光敏薄膜(OPF)。
*3:与松下硅CMOS图像传感器相比。

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