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存储革命--MRAM (5)
杜嘉　2001-01-16 11:46:37

　　更多的参与者

　　在Parkin和他的五成员所组成的开发团队努力完善他们的新芯片的同时，Saied Tehrani，Motorola的首席MRAM项目负责人也正在从事相似的工作。不过他本人并不承认这是正面的竞争。毕竟我们都知道摩托罗拉不是一个卓越的内存公司而且似乎也不打算加入到DRAM市场的竞争中去。但他们希望能够实现“立即使用”计算的概念和找到一个方法，整合逻辑和存储功能并把MRAM芯片移植到便携通讯设备中去。摩托罗拉认为MRAM有作为一种普通内存的特性也具有类似Flash和静态RAM的属性。Saied Tehrani预计他们5年内就会用上它。
　　不单是摩托罗拉，瞄准这个可即时使用而不必重新启动的内存芯片市场的还有Honeywell。他们也有自己专门的MRAM技术研发小组，领头人是Theodore Zhu。MRAM的完善填补了市场对非易失性内存的需求，Honeywell已经生产了较大磁阻的带有16kB内存的芯片来满足各种军（下转45页）（下转51页）事用途，原因就是MRAM优势多多，它能够在辐射暴露的环境下保存住数据。但Honeywell没能兑现他在1999年底推出1MB芯片的承诺。这本来有可能使其大大领先于IBM的，不过很遗憾未能实现。至于原因很可能是因为Honeywell的首要客户是军事方面的，因此他们的特长更趋向于构件设备，而非将之商业化。

　　另一个在MRAM赛跑中的竞争者是在华盛顿特区的美国海军研究实验室（NRL）。“我们已经设计出非常小的磁材料环，并把它们叠在一起”，物理学家Gary Prinz提到“你能移动一条线缆到中间并切换在这个环上的磁极方向。”Prinz声明他的设计克服了许多其他构架的MRAM所遇到的一些难以克服的障碍，比如高电阻和不能精确控制磁切换等等。NRL的模型在架构上给人非常深刻的印象。但它在商业上的潜力似乎有限，电阻确实很低，其他困难也减小不少，但你不能很方便地得到信号。

　　结语

　　虽然我们无法知道IBM到底在MRAM项目上投入了多少钱，但这从Parkin的实验室里或许可以窥见一般。这里的许多设备都是数以百万计的，比如他们最新的一个计算机控制的能够制造MRAM所需材料的真空腔体就花费了100万美元，而制造它的原因只是因为它比以前的原型设备要快一点点罢了。

　　不过其他的公司也都是一样的挥金如土，到底谁能在MRAM中占得先机呢？这根本就是在探索一片空白的新大陆。别过分相信自己的直觉或本能。有时候，事情并不会按预料的那样发生。无论是好是坏，都只有努力的人才能得到结果，原因嘛很简单，因为果实永远在科技前进的方向上呢。

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