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存储革命--MRAM (3)
杜嘉　2001-01-16 11:47:38

　　Stuart Parkin其人其事

　　Parkin出生在英国的Watford，但他的父亲从事商业活动，这促使他们全家不断搬迁，首先是Bowden，这里距离曼彻斯特很近，接着又到了苏格兰。当时Parkin还是个10多岁的少年，他自己认为那时候性格内向，所以寂寞而爱好读书，对自然科学非常热爱。之后Parkin就读于剑桥大学，这所大学一向在物理方面非常有名。1981年，Parkin在剑桥的Cavendish实验室从事科研工作期间获得了博士学位，可别小看这个实验室，它曾有过非常辉煌的过去。一个世纪以前，汤姆森在这里发现了电子。这以后Parkin去了法国，从事超导方面的研究并攻读博士后。1982年，他加入了IBM，并开始磁物理方面的研发。

　　那时候，IBM正在寻找一个方法来恢复他们在数据存储方面的威信。虽然从1956年研发第一块投入商业应用的硬盘以来，“大蓝”（IBM）在这个市场里已经支配了近10年的时间，但随后其他公司逐渐赶了上来。这是需要重拳出击的时候了，IBM的研发专家对用磁材料造成的薄层结构产生了浓厚的兴趣，他们相信这些物质能在单位面积上存储更多的数据而且能改善当时硬盘中使用的读写磁头的性能。早在70年代，贝尔实验室就研发了一种被叫做分子束取向附生（MBE：molecular beam epitaxy）的技术，使用精确到原子刻度的喷射枪来准确将材料喷射到另一种材料上，用来制造电子设备。1984年，IBM给Parkin和他的同事拨出100万美元，让他们建立一个改进的MBE枪来在磁材料上做同样的事情。

　　IBM想让Parkin创造一种新型的分层磁材料并把它们应用在大容量存储上。但MBE系统是一个大而笨重且消耗时间的工具。1年以后，他将机器交付给了另一个科学家，放弃了MBE实验，但从原始项目中留下了50万美元制造了一个真空圆筒，外形很像洗衣机之类的。这个小仪器能够轰击气体的原子到各种物质中去，停止后它们会吸附在材料的附近。依靠这种基本的方法能快速地在物体表面沉积一层物质，并能测试它们的磁数据。

　　1988年，在Parkin开始轰击腔体试验3年之后，巴黎大学的一名物理学家Albert Fert在测试磁致电阻后得出的结论使他豁然开朗。这位科学家说，在一个磁场里面的金属其电阻会发生改变。一个铁和铬组成的物体能产生非常巨大的磁致电阻，它是如此之大以至于被称为巨磁致电阻。Parkin听到这个消息后，立刻决定返回IBM的实验室，在他们的轰击机器上做同样的实验。Parkin回忆时提到当时他已经被众口一词的说法搞得对喷薄膜试验失去了信心，但此后就开始一帆风顺了。

　　在接下去的2年里，Parkin边试验边改进，直到他的敏感磁领域监测器完备起来，并找到了商业化的方法。IBM很快把Parkin的GMR用在了高端硬盘上。当时是在一个2.5英寸的盘上集成了3.3GB的容量，使得整个业界为之一振。当然现在整个硬盘工业都在使用GMR读写磁头了，他已经帮IBM挣了81亿美元和27%的存储市场份额。Parkin并没有说他从IBM的GMR技术中到底得到了多少报酬，但承认他非常满意。他的工作也帮助他获得了公司最高研发荣誉。

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