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Intel P4处理器全面评析 (3)
晶合实验室　2001-01-02 14:08:30

　　外观点评

　　P4处理器采用了三层的封装设计，包括一层导热金属层，一层有机物质封装基板及一层绿色的料胶封装基板，其中主芯片被包裹在导热金属层中，而绿色的料胶封装基板主要是负责连接主芯片的接点并与基板的针脚做连接。P4采用的是 Socket423 接口，较Socket 370多出的53的针脚将用于最新的SSE2指令集。其内部拥有3400万颗晶体管，晶体管的总面积约为171平方毫米。与此同时，我们也发现，P4管线和电路的切分上都做得十分细微，这将有助于整体频率及性能的提升，但也存在一个很严重的缺点：对于并非大量且密集化的整数／浮点运算，以及运行条件式分歧、判断的程序代码流程时，其指令在管线的延迟将被拉长，从而拖慢整个系统的运算速度。
　　在P4金属壳的右下角有一个小洞，这是放入冷媒的地方，我们在安装CPU风扇时，向这个小孔中加入一定量的冷媒，可以有效地增加散热效果，但是现在还不知道P4具体使用的是何种冷媒，当然不用冷媒应该也是可以运行的。
　　针脚方面，PⅢ的CPU插脚中两边的角上排列成了两个小的三角形，但是P4中取消了这些，取而代之的是每边不同的插脚数，以此来判断CPU的安装方向。但是这样的判断方式似乎还不如PⅢ。
　　P4的起始频率为1.4G和1.5G，制造工艺仍然是0 .18微米铝导线连接技术。高的主频让处理器的功耗加大，P4 1.4G的功耗达到了55W之高。所以Intel为P4准备了这块硕大的的散热片，并且将其牢牢地固定在了主板上。风扇的功率也达到了1.7A，远远大于普通风扇的1.1A和1.2A。
　　PC-800的RDRAM应该是Pentium 4的最佳组合了，但是PC-600的RDRAM也可以正常工作。明年Intel将推出支持DDR的P4芯片组。我们在评测中使用的是256M SAMSUNG原厂RDRAM内存条。
　　与P4搭配的是Intel的850芯片组，我们拿到的这块是Intel原厂的D850GB (“GB”在这里的意思是Garibaldi构架，Garibaldi基于ATX构架，但是也能够使用WTX构架的机箱)。D850GB主板采用的是Intel i850芯片组。北桥芯片是KC82850，封装方式是FC-BGA（Flip Clip Ball Grid Array，反转芯片球栅矩阵），上面加上了一块散热片进行散热，可见功耗应该不小。其功能是提供传输率高达3.2GB/sec的400MHz FSB，超过1GB/sec带宽的4×AGP总线，以及控制带宽为3.2GB/sec的双通道RDRAM。南桥芯片是FW82801BA，芯片上面也有“SECRET”字样，该芯片支持UltraDMA 33/66/100，支持6个PCI主控设备槽，能提供4个USB端口，并内建以太网Base1000卡，支持家庭网络功能HomePNA，更支持6声道输出以及SoftModem。不过Intel D850GB只带有5个PCI插槽和一个CNR槽。南北桥之间以266M/s的高速进行数据交换。
　　由于P4耗电惊人，所以P4的系统使用的主板被设计为电源的12V电压（ATX12），通过一个4脚的插座和3.3V、5V一起供给主板，另外还在20针电源接口的旁边另加了一个6针的辅助电源接口。

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