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Intel完成0.13微米芯片制造工艺开发
赵峰　2000-11-09 19:13:52

　　Intel公司于11月7日宣布，它已经完成了下一代0.13微米芯片制造工艺的开发工作。

　　据Intel公司称，它是目前第一家完成0.13微米芯片制造工艺开发工作的芯片制造商。Intel已经跨越了两个关键性的里程碑：它已经采用0.13微米芯片制造工艺，生产出静态RAM芯片，以及Pentium Ⅲ微处理器的样品。

　　Intel再次重申，它计划在2001年上半年开始采用0.13微米芯片制造工艺。0.13微米芯片制造工艺在Intel公司内部的代号是P860。转向这种新的芯片制造工艺，不仅可以提高芯片产品的时钟速度和性能，还可大幅降低能耗。

　　根据P860的设计规则，Intel公司将可生产出体积更小的晶体管，使一枚芯片上拥有的晶体管数量超过1亿个。此外，晶体管的速度将增加50-60%，而能耗将比目前采用P858（0.18微米）制造工艺生产的晶体管低大约20%。

　　P860制造工艺将使用体积更小，速度更快的晶体管；铜制导线；以及低电容绝缘材料。Intel公司目前采用的P858制造工艺，使用的是铝制导线。新的P860铜制导线和低电容绝缘材料，最多可使电阻减少40%。采用P860制造工艺生产出来的晶体管，工作电压只需1.3伏甚至更低。而采用P858制造工艺生产出来的晶体管，工作电压为1.5伏。

　　Intel公司表示，在2003年之前，它将在旗下9家芯片生产厂采用0.13微米芯片制造工艺。Intel公司最早将于2001年第一季度，在其位于俄勒冈州的第20芯片生产厂采用0.13微米芯片制造工艺。

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