夏莫古说，Nantero进行的测试表明，NRAM使用寿命达10的12次方个编程/擦除周期，可以读取10的15次方次数据。
2014年，日本中央大学一个研究团队的测试表明，NRAM使用寿命可以达到10的11次方个编程/擦除周期，即可以写入逾10亿次。夏莫古说，“我们预计其使用寿命是无限的。”
虽然有朝一日NRAM能取代NAND闪存，但受成本的影响，Nantero及其制造合作伙伴致力于让它取代DRAM。NRAM生产成本是传统内存的约一半。
NRAM的另外一个优势是它采用DDR4接口，因此其数据传输速率可以高达2400 Mbps，是NAND闪存的逾2倍。夏莫古表示，但是，NRAM原生读写速度是NAND闪存数千倍，瓶颈是DDR4规范。
夏莫古说，“碳纳米管开关速度以皮秒计算。”1皮秒相当于1万亿分之一秒。
由于Nantero在设计NRAM时采用了DDR4接口，速度将受到这种总线接口的限制。因此，NRAM潜在速度可能达到DRAM的1000倍。
Computerworld 称，NRAM另外一个优势是它耐极端高温。NRAM可以耐300摄氏度的高温。Nantero称，在85摄氏度环境中，NRAM能正常运行数千年，并已经在300摄氏度环境中测试了10年时间。Nantero表示，在测试中NRAM没有丢失一位数据。
NRAM工作原理
碳纳米管是由催化剂微粒(最常见的是铁元素)生长而来的。每个NRAM“单元”或晶体管由一个碳纳米管网络组成，其工作原理与其他非挥发性RAM技术相同。
相互不接触的碳纳米管呈现高电阻状态，代表“关闭”或“0”状态；当碳纳米管相互接触时，它们呈现低电阻状态，代表“开启”或“1”状态。
据汉迪称，在新型内存方面，NRAM的竞争对手有许多新兴技术，它们将在速度、耐用度和容量方面挑战NAND闪存。例如，铁电RAM(FRAM)出货量相当高；IBM开发了赛道内存；英特尔、IBM和Numonyx都开始生产相变内存；自1990年代以来，磁阻内存(MRAM)一直在开发中；惠普和海力士在开发ReRAM——也被称作忆阻器；英飞凌在开发CBRAM。
NRAM的另外一个竞争对手是3D Xpoint内存，英特尔和美光今年将推出这种产品。美光将以QuantX商标销售3D Xpoint内存(英特尔将以Octane商标销售)，QuantX的对手是NAND闪存，因为QuantX是一种大容量存储设备用内存芯片，与DRAM相比，它速度、生产成本低，但速度远快于NAND。
夏莫古说，“NRAM速度堪比DRAM，但使用寿命要长得多。”
汉迪说，“NRAM应当优于3D Xpoint，后者磨损快，写入速度远慢于读取速度。如果成本可以降低到与DRAM相似的水平，NRAM就可以取代DRAM。成本是一大问题，因为价格要接近DRAM，就需要有很高销量。这是一个先有鸡还是先有蛋的问题，一旦销量足够高，成本就会下降；如果成本可以媲美DRAM，销量就会很高。”
来源：Computerworld
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