从AMD资料上显示，RadeonHD5830并没有公版版本，几乎所有的RadeonHD5830都由各大品牌自行设计，也就是所有RadeonHD5830都是非公版。景钛的RadeonHD5830板型相当长，达到25.5CM！打算购买的用户务必留意机箱尺寸是否合适。

    另外该款RadeonHD5830所使用的PCB相信同样也能满足RadeonHD5850和RadeonHD5870的需求，也就是说我们将在稍后时间很快就会见到景钛非公版的RadeonHD5850和HD5870，售价也将会降低。

在输出接口附近的1相显存供电

尾部的4相核心供电+1相显存供电

    景钛的RadeonHD5830一共采用4+1+1相供电配置，4相核心供电部分和其中一相显存供电集中在PCB尾部，翻开散热片后我们发现景钛的RadeonHD5830并没有采用传统D-PAK的MOSFET，而是采用成本很高的QFN封装Drmos。

    Drmos较多在微星的主板上出现，在显卡上使用率并不高。景钛RadeonHD5830上的Drmos来自日本瑞萨半导体公司，其中R2J20602型号的Drmos是瑞萨第二代研发的Drmos。Drmos是封装技术、硅技术、高集成技术等进步的产物，和一般MOSFET最大的区别在于Drmos集成了驱动IC和MOSFET（Driver IC+MOSFET），所以叫Drmos。

    DrMOS的主要特点是：

    - 采用QFN56无脚封装，热阻抗很低。

    - 采用内部引线键合以及铜夹带设计，尽量减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。

    - 采用先进的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，显著降低传导、开关和栅极电荷损耗。

    - 兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持APS（Auto Phase Switching）。

    简单来说，Drmos相对传统MOSFET的优点就是转换效率高、节能、低温度、占空间少、电流响应时间快。

    RadeonHD5830核心采用和RadeonHD5850/5870一样的Cypress核心，采用40nm工艺制造，拥有1120个流处理器单元，运行频率在800MHz。这块RadeonHD5830的核心生产周期为2010年第2周，相比之下，RadeonHD5850/5870第一批晶片生产周期为09年37周左右，可见RadeonHD5830核心的周期相当新。

    这款RadeonHD5830采用三星品牌的GDDR5显存，由于德国奇梦达已经倒闭，所以ATI转而找到显存巨头三星合作。景钛RadeonHD5830与RadeonHD5850采用完全一样的显存规格：-0.4ns的三星GDDR5颗粒，正面8颗32Mx32bit显存颗粒一共组成了1024M/256Bit的显存规格。从理论上来看0.4ns颗粒的工作频率为5000MHz，而RadeonHD5830的显存官方默认频率仅为4000Mhz，所以在显存方面RadeonHD5830有着很大的超频空间。