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联芯发三大自主研发芯片 助力TD及LTE扩张

2011-04-21 18:29:21 赛迪网

    【赛迪网讯】4月21日消息,由联芯科技主办的“TD-SCDMA/LTE芯片及终端产业高峰论坛(上海)暨联芯科技2011年度客户大会”于上海世博洲际酒店隆重开幕。

    会上,继去年INNOPOWERTM原动力TM系列自研芯片发布,联芯科技宣布再添三款自主研发芯片,覆盖低成本TD功能手机、TD无线固话、TD智能终端等多个领域,同时,联芯科技也首次展示其TD-LTE/TD-HSPA双模终端解决方案,将对我国TD-LTE试验网建设也起重要的终端芯片支撑作用。

    65nm/55nm自研芯片密集型战略布局完成

    每年春季召开的以“创新价值 成就客户”为主题的大会已成为联芯科技的公司品牌特色之一,备受业界瞩目。来自工信部、行业协会、中移动及TD终端企业的众多高层领导、嘉宾参加了该次会议。

    联芯科技于此次大会发布三款芯片产品:LC1710 TD-HSDPA/GGE 基带处理器芯片(55nm), LC1711 TD-HSPA/GGE 基带处理器芯片(55nm), LC1760 TD-LTE/TD-HSPA双模基带处理器芯片(65nm),基于此三款芯片,可以分别度身打造高性能低成本Turnkey TD功能手机及无线固话解决方案,智能手机及模块类产品Modem解决方案,以及TD-LTE/ TD-HSPA双模终端解决方案。

    配合其业已成熟的方案产品:全系列功能手机解决方案 DTivyTM L1808B(65nm)以及单芯片智能手机解决方案DTivyTM L1809(65nm),联芯科技已实现对融合终端、功能手机、系列智能手机市场的全面覆盖,同时,其系列芯片方案产品以低成本、高集成度、高性能的优势特点,帮助客户快速推出差异化的终端产品,市场表现不可小觑。

    上述芯片新品标志着联芯科技INNOPOWERTM原动力TM系列自研芯片方案产品已全面覆盖各细分市场,其65nm/55nm自研芯片密集型战略市场布局的完成,将为未来进一步市场竞争致胜点的抢占打下良好伏笔。

    支持打造高性能低成本TD手机

    对于整个TD产业链而言,要做出更有竞争力的产品,只有在满足TD的终端、业务和应用各个层次的需要的前提下,继续降低芯片成本,提高终端开发速度,才能推动和支撑这个行业快速发展。

    联芯科技基于其TD-HSDPA/GGE 基带处理器芯片LC1710,分别面向低成本功能手机及无线固话市场,推出DTivyTM L1710FP 低成本功能手机解决方案及DTivyTM L1710FP 低成本无线固话解决方案。

    其中前者满足上行2.2兆/秒,下行2.8兆/秒的高速数据吞吐率,在实现手机电视、流媒体、可视电话、浏览器等特色业务的同时大幅降低开发成本。后者为无线固话产品提供完整的TurnKey解决方案,缩短产品开发周期,降低客户开发成本。

    打造新版智能终端芯片解决方案

    智能终端市场发展迅猛,是移动互联网终端市场的主战场。对于智能终端,联芯科技也高度重视。

    早在去年,联芯科技便已发布了单芯片智能手机方案DTivyTM L1809,这一低成本、高集成度的Android 2.X智能手机完整方案,能帮助客户快速推出有竞争力的千元智能手机,目前,基于联芯科技的Android千元智能手机芯片解决方案的终端手机也将在今年上半年正式向市场推出。

    此次大会,联芯科技再推一名面向智能终端市场“猛将”:DTivyTM L1711 MS智能手机Modem解决方案。此款方案LC1711基带处理器芯片采用55nm制造工艺,高达390MHz的主频,支持TD/GSM双模。

    该方案能与业界主流应用处理器(AP)厂商合作推出各系列联合方案,全面覆盖高、中、低终端产品。该芯片既可用于智能手机上,也可用于平板电脑等其它智能终端。

    亮相TD-LTE/TD-HSPA双模终端解决方案

    TD-LTE终端及芯片一直备受关注,此次联芯科技宣布推出业界首款TD-LTE/TD-SCDMA双模基带芯片LC1760。此次会议现场,联芯科技更将展示其DTivyTM L1760 TD-LTE/TD-HSPA双模终端解决方案,该方案基于联芯自主研发的LC1760 TD-LTE/TD-HSPA双模基带处理器芯片,采用65纳米工艺,未来将向40纳米或更高工艺演进,支持TD-SCDMA/TD-LTE双模,TD-SCDMA双频,TD-LTE双频,未来更可向多模扩展,支持下行100兆/秒,上行50兆/秒的数据吞吐率,将支持终端厂家于今年年中推出数据卡参加TD-LTE规模技术试验。

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