CPU的生产过程 (2)

第三步：蚀刻(etching)：用溶剂将被紫外线照射过的光阻物清除，再采用化学处理，把没有覆盖光阻物质部分的硅氧化物层蚀刻掉。然后把所有光阻物质清除，就得到了有沟槽的硅基片。 　　第四步分层：为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。 　　第五步离子注入（Ion Implantation）：通过离子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些地区的导电状态，形成门电路。 　　第六步：不断重复以上过程，一个完整的CPU内核包含大约20层，层间留出“窗口”，填充入金属以保持各层间电路的连接。 　　完成测试工作后，切割硅片成单个CPU核心进行封装。 (摘自 赛迪网 文/3D BOY)