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Intel CPU 技术进展内幕：2001++ (2)
精工/太平洋评测室　2001-02-12 15:44:29

　　Intel的战略计划

　　今年Intel将在处理器项目当中吹捧介绍三种技术，首当其冲的就是0.13微米制造工艺。Intel 宣称是第一个将0.13微米工艺应用到微处理器的生产商。不过，尽管在Intel的发展蓝图上做了标明，但他们是否将这项技术应用到奔腾III处理器现在还是一个未知数。至于奔腾4，我们就很有把握地说将能采用到，因为现在的奔腾4的dies实在太大了。除此之外，奔腾4昂贵的价格是其占领市场的一个巨大的阻碍。很明显，Intel只有靠0.13微米工艺来减少晶体管的数量和处理器本身的体积才能有效减低成本。

　　另一方面，如果Intel在铜矿（奔腾III和赛扬II）当中采用0.13微米工艺的话，这样新的处理器就有更低的电源功耗、更高的速度（频率）和更低廉的价格。或许铜矿处理器就能突破1.13GHz的极限，给我们超频发烧友带来更多的惊喜喔。

　　在2001年里面，第二项主要的技术突破就是铜连接（copper interconnects）。铜连接技术已经在很多技术文章里面见得到。它的作用主要是在超大规模集成电路（VLSI）当中减少阻抗，使半导体芯片面积减少。通过铜连接，不单单使元器件的电特性增强，而且对于电子迁移和减低电压方面也十分有好处的。

　　或许这时候你会问：为什么铜连接好处这么多，以前怎么不用啊？因为和铝不一样，铜是一种快扩散体，如果仅仅是简单的连接，快速的铜原子会“冲垮”硅晶片的。随着工艺的进步，制造商们才首次采用铜介质。

　　而第三样硬件技术就是在绝缘层中采用low-k绝缘体来连接，这项技术主要是减少信号传播时由于电路本身的RC（阻抗和容抗）延迟所带来的信号衰减。

　　由于采用更小的连接工艺，使得每个晶体管元件的距离越来越短，使得在连接当中出现了许多本来没有的容性器件。现在很多半导体芯片制造商都是采用二氧化硅（就好像玻璃）来做绝缘层的。而它的体积却比较大，效果也不是否理想。所以low-k绝缘体代替了这些二氧化硅，low-k本身就是炭－硅氧化的聚合体。

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