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今年如何购买内存(3)
曹立明 2001-04-02 11:27:49



   4.内存的封装

   如同微处理器一样,内存条的技术也是不断地更新,内存的颗粒变得更小、更精致,这些内存在适用频率和电气特性上也有了长足的进步。这一切应归功于那些厂商选用了新型内存芯片封装技术。目前新型芯片封装技术主要有以下几种:

   BLP:英文全称为Bottom Leaded Plastic(底部引出塑封技术),是新一代封装技术中的佼佼者,其芯片面积与封装面积之比大于1:1.1,符合CSP(Chip Size Package)封装规范。不仅高度和面积极小,而且电气特性得到了进一步的提高。相比之下,这种封装技术的制造成本也并不算高,它广泛应用于SDRAM、RDRAM、DDR等内存制造上。品质不错的金邦金条就是采用这种封装形式的产品。

   uBGA:英文全称为Micro Ball Grid Array(微型球栅阵列封装),其芯片面积与封装积之比大于1:1.14,是Tessera的独家专利,尤其适合工作于高频状态下的RDRAM,但制造成本极高昂,目前主要用于RDRAM。

   TinyBGA:英文全称为Tiny BALL Grid Array(小型球栅阵列封装),其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,是KingMax的专利,属于BGA封装技术的一个分支。KingMax采用这种封装形式。

   TOSP II:英文全称为Thin Small Outline Package(薄型小尺寸封装),目前广泛应用于SDRAM内存的制造上,但是随着时间的推移和技术的进步,TOSP II已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。目前市场上的内存产品中,GL2000千禧条、HY等内存采用这种封装方式。

   从目前内存市场状况来看。BLP封装技术可能成为本世纪初期的主流,也就是说SDRAM内存还会在相当长的时间内流行在市场中。采用uBGA封装技术的RDRAM内存虽然速度快,但是价格昂贵得多,在同等容量下,即使速度再快,出于性价比的考虑,更多的用户可能选择较便宜的SDRAM。



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