● DDR3：ASUS Blitz Extreme

    以ASUS Blitz为代表的Intel P35 Express芯片组主板是目前最优秀的DDR3 SDRAM内存模组超频平台。Blitz Extreme能够提供不同FSB:DRAM比例下均一的内存超频稳定性，BIOS中的超频选项强大全面，配合1333MHz FSB的Core 2 Duo E6850 CPU，笔者将挑战DDR2-1600及更高频率。

    ASUS Blitz Extreme

    以1333MHz FSB处理器为例（或是是超频到1333MHz），Blitz Extreme将提供800MHz--5:3、1066MHz--5:4、1333MHz--1:1这三种FSB:DRAM频率比例设定，Blitz Extreme在所有频率比例上，内存模组能够达到的频率上限差不多，差距不会超过5%，这给测试带来了极大的方便。

    在时序调节和电压控制上，Blitz Extreme一样非常完善，电压方面支持最高2.4V的内存模组电压设定，同时还支持MCH、FSB Termination的电压调节，能够给超频内存提供足够多的支持。

    ● DDR3模组超频设定

    具体内存模组测试中，笔者将分别尝试找到每款产品以双通道配置下、在Blitz Extreme主板上、时序7-7-7-18和9-9-9-30两种状况下的稳定运行频率上限。这两种时序分别代表优化和劣化延迟，具体的模组工作电压将根据产品不同设定在2.0V-2.2V（部分产品高于2.0V不能稳定工作）。

    判断稳定与否的软件是SuperPI，以通过32M计算为准，而测试过程中笔者将使用333MHz FSB Strap，FSB:DRAM限定在5:3和1:1两种，并尽量通过降低倍频而把CPU频率限制在3GHz以内降低CPU超频带来的稳定性干扰。

    影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

    CAS Latency，内存CAS延迟时间。

    RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

    Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。

    Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

    这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。

    ● DDR2：ASUS Blitz FORMULA

    ASUS Blitz FORMULA

    Blitz FORMULA是和Blitz Extreme同系列的主板，也是基于P35 Express芯片组，但需要配置DDR2内存模组。Blitz FORMULA的操作特征和Blitz Extreme几乎完全相同，在测试中用做DDR2平台和DDR3平台对比，这里不再过多叙述。

    ● 对比测试设定

    >>Core 2 Duo E6850 CPU部分固定频率在3GHz；

    >>Blitz Extreme上使用428MHz*7 CPU和DDR2-1716_7-7-7内存设定；

    >>Blitz Extreme上使用428MHz*7 CPU和DDR2-1716_9-9-9内存设定；

    >>Blitz Extreme上使用333MHz*9 CPU和DDR3-1333_7-7-7内存设定；

    >>Blitz Extreme上使用333MHz*9 CPU和DDR3-1066_7-7-7内存设定；

    >>Blitz FORMULA上使用333MHz*9 CPU和DDR2-1066_4-4-4内存设定；

    　　>>Blitz FORMULA上使用333MHz*9 CPU和DDR2-800_5-5-5内存设定；　　　　　　　 接下来我们进入具体产品介绍，其中每款产品介绍的后面都将附带超频上限和对应截图。