●采用55纳米米制程支持PCI-E 2.0 、HT 3.0

    图为RS780北桥芯片，采用55纳米CMOS制程并由TSMC代工，工作电压为1.1V ，最高功耗约11.4W ，省电模式下更可达至3W以下。芯片大小为21mm x 21mm ， 528-FCBGA封装，与RS740 、RS780C 、RS780D脚位相容。支持Hyper-Transport 1.0及3.0技术，分别支持最高2GT/s及5.2GT/s传输速速度，可支持所有K8处理器及新一代K10处理器。

    RS780芯片组

    RS780北桥芯片支持PCI-Express 2.0规格，并内建24个PCI-E Lanes ，包括了PCI-E x16显卡介面、4组可作扩充用途的PCI-Ex介面，另外1组PCI- e x4是用作连接南桥芯片的A-Link II介面。

    RS780北桥规格

    据了解，RS780北桥芯片组的ASIC设计，显示接口是以x8+x4+x4的PCI-E组成，原理上是可以组成两组PCI-E x8显示接口达成CrossFireX技术，但AMD只容许RS780D版本，才能组成PCI-E x8显示接口，RS780及RS780C均被屏敝1此功能。此外，RS780显示核心可透过显卡介面，用作DDI (Digital Display Interface)用途，达成TMDS、SDVO及DisplayPort输出线路，但将会占上了部份Lanes，令显示接口速度只有x8、甚至是x4。

    ●基于RV610显示核心移植支持DX10、SM 4.0

    显示核心方面，RS780是基于Radeon HD 2400的RV610显示核心所移值，支持DirectX 10、 Shader Model 4.0及OpenGL 2.0规格，完全符合Microsoft vistaPremium 2008规格。采用全新Unified Shader架构，拥有40个Stream Processors，内建8个Texture Address Unit 、4个Texture Filiting Unit、4个ROP，核心时脉为500MHz，规格可与真正的RV610媲美，所以RS780的显示效能与低端显卡的距离已大幅接近，分别只在于RV610拥有64Bit记忆体控制器，而RS780只拥有16Bit而已。

    根据RS780规格白皮书指出，RS780显示核心支持Side-Port Memory技术，支持最高16Bit内存，最高可支持DDR2-1066或DDR3-1333速度记忆体颗粒，DDR2最高容量为256MB 、DDR3则为128MB ，使用Side-Port Memory后效能将提升10-15%，在记忆体颗粒价格低迷的情况下，RS780主板加入Side-Port Memory来提升效能，亦不失为一个好方案。

    值得注意的是，由于AMD平台的系统记忆体控制器内建于处理器中，因此IGP显示核心需要透过Hyper-Transport介面，才能读取系统记忆体，因此在没有采用Side-Port Memory的情况下，采用Hyper-Transport 3.0的处理器会使IGP显示核心有更好的表现，尤其在需要大量记忆体读写的游戏中，可能会出现约5-10%的效能差距。

    RS780显示输出规格演示

    显示输出方面， RS780支持独立Dual Display输出，预设提供一组DVI或HDMI介面及透过内建的DAC支持D-Sub或TV输出。此外，工程师可把显示介面变成Digital Display Interface ，达成Dual-Link TMDS输出，能架构第二组DVI 、 HDMI或DisplayPort ， Side-Port Memory的线路如果没有被使用，也可以用作DVO输出线路，但显示核心只能提供两组输出线路同时工作。

    针对HDMI输出， RS780内建HDCP钥匙，可支持HD-DVD及Blu-Ray等受保护的高清影像播放，而北桥芯片内已建有HD Audio codec ，支持PCM及AC3音效输出格式，令主板不需要额外接线，也能让HDMI接口拥有声画同步输出。