揭秘45nm Penryn超频神话

    基于45nm制造工艺的Penryn微架构有着无法比拟的优势，得益于45nm工艺制程的帮助，Penryn拥有了4.1亿个晶体管（四核心则达到8.2亿个晶体管），比65nm双核心Conroe多出近1.2亿个，而芯片尺寸也缩减到110平方毫米。更小的核心面积能让处理器的工作温度更加低，从而获得更高的工作频率。

    另外，High-K金属栅极技术的应用，使45nm Penryn架构彻底解决了漏电问题。在此之前为了提高在单位面积上所集成的晶体管数量，晶体管间的连线宽度不断被减小，以降低成本并提高性能。但晶体管连线宽度的不断降低最终容易导致体积过小，密度过大，这就会产生晶体管相互之间的 “漏电”问题，一些晶体管有可能在“关闭”状态下仍然是通电的，这样就会带来致命的电路错误。晶体管漏电除了会造成漏电问题之外，还间接导致CPU的核心电压一直无法下降。这也是45nm Penryn处理器工作电压大幅度降低的原因，而更低的工作电压同时有效降低了功耗。

    由于电子泄漏基本被阻断，可大幅减少漏电量。而High-K材料与金属栅极的组合，使驱动电流或晶体管性能提高了20%以上。同时，使源极-漏极漏电降低了5倍以上，大幅提高了晶体管的效能。这就是45nm Penryn处理器在同样的频率下性能比65nm Conroe处理器更佳的原因。