供电配置简介与超频实测

    产品的供电部分均整合在PCB的后方位置上，产品采用了1+1相（核心+显存）的供电配置，每个相配置有4个mosfet以及全固态的电容。

    显存方面采用了8颗16Mx32bit samsung 的GDDR3 1.0ns显存颗粒，编号为K4J52324QE-BJ1A，组成512MB/256bit的显存规格，相比起同类的产品显存容量翻倍，产品的预设频率仅为1600MHz，具备相当的超频潜力。

    在超频测试中，我们把核心与流处理频率依然按2.5的比例进行频率的拉升，通过反复的稳定性测试后，产品的极限频率可以达到765/1912/2100MHz的水平下，相比起产品额定的工作频率，性能有了大约27％左右的提升。