此次年度首台设备的顺利出货，不仅标志着盖泽半导体在新年伊始便展现出强劲的发展势头，更彰显了公司在技术创新与市场拓展方面的卓越成就。近年来，盖泽半导体的设备凭借其卓越的性能、可靠的品质以及精准的量测能力，赢得了客户的广泛赞誉与高度认可。频繁的设备出货不仅巩固了公司在半导体量测领域的市场地位，更进一步提升了盖泽半导体在行业内的核心竞争力。

SOI是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思，原理就是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，可减少两者之间的寄生电容。此次出机的设备型号为GS-M08X，采用了先进的FTIR（傅里叶变换红外光谱）技术，并与盖泽半导体自主研发的量测算法紧密协同。该设备能够实现对SOI晶圆、硅外延等薄膜厚度的非接触式测量，并提供高精度的量测结果。

设备装配了多轴双臂洁净机械手和全新设计的Stage平台，结合自主研发的红外光路系统，不仅显著提升了测量效率，还增强了与客户应用场景的兼容性。此外，设备内部设计了独特的气体导流结构，确保晶圆在传输过程中的洁净度。同时，通过多重互锁保护机制，从软件到硬件全方位保障晶圆传输的安全性，以及人员和设备的运行安全。

自公司创立以来，盖泽半导体始终深耕半导体量测领域，致力于打造行业领先的技术与产品。公司团队由国内外知名半导体企业的资深技术专家和研发人员组成，他们在大型先进晶圆厂和设备厂积累了丰富的实战经验，凭借深厚的专业背景和创新精神，立志成为国产半导体量测设备的“拓荒者”。

在全球半导体需求持续攀升的当下，盖泽半导体凭借卓越的技术实力和产品质量，逐步赢得了市场的高度认可，为国产设备在激烈的国际市场竞争中奠定了坚实基础。展望未来，盖泽半导体将继续秉持创新驱动、客户至上的理念，持续推动技术创新，助力中国半导体产业在全球市场中提升核心竞争力，为行业的高质量发展贡献更多力量。

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