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多孔碳化硅材料催化应用综述发布 助力相关研究
近日，中科院大连化学物理研究所副研究员刘岳峰与法国斯特拉斯堡大学主任研究员Cuong Pham-Huu、意大利科学院ICCOM研究所主任研究员Giuliano Giambastiani、常州大学教授郭向云等团队合作发表综述文章，系统总结了多孔碳化硅(SiC)材料在多相催化领域中的研究现状和应用前景。该综述发表在Chemical Reviews上，并被选为该期封面论文。
SiC是一种常见的工业陶瓷材料和微电子材料，由于其具备较高的机械强度和化学稳定性，同时也具备优异的导电、导热性能，因此近些年来被作为催化剂载体而在催化领域引起了广泛的关注。
该综述总结了碳化硅材料从低表面积发展成为多孔、高比表面积催化剂载体材料的历史，系统地介绍了多孔碳化硅材料在一些重要的能源催化与环境治理应用中的进展，特别是利用碳化硅材料优异的导热性和化学稳定性，在催化氧化、催化还原，以及在光催化领域中的研究进展，展望了碳化硅材料作为催化剂载体甚至作为催化剂的未来研究机遇与挑战。(作者：卜叶)
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