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超高带宽的动态随机存储器问世

超高带宽的动态随机存储器问世
2021-11-03 09:04:20 来源:科技日报

科技日报讯 (记者邰举)韩国SK海力士日前宣布,该公司开发成功HBM3动态随机存取存储器(DRAM),每秒能够处理819GB的数据,内置ECC校检。

该HBM3DRAM将以16GB和24GB两种容量上市。其中24GB是业界目前最大容量。在24GB产品中,单品DRAM芯片的高度被磨削到约30μm,使用TSV技术垂直连接12个芯片。

HBM3被称为第四代HBM,由多个垂直连接DRAM芯片堆叠而成,能够创新性地提高内存带宽。

SK海力士2020年7月在业界最先开始量产HBM2DRAM。SK海力士强调,将继续巩固高端存储器市场领导力,提供符合ESG(环境、社会、公司治理)经营理念的产品,尽最大努力提高客户价值。

图为HBM3DRAM产品封装。

责任编辑:kj005

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