日前，江苏协昌电子科技股份有限公司（以下简称：“协昌科技”、“公司”）状态更新为已问询，公司拟登录创业板，募资4.21亿元，用于投建运动控制器生产基地建设项目、功率芯片封装测试生产线建设项目、功率芯片研发升级及产业化项目。

协昌科技主要从事运动控制产品、功率芯片的研发、生产和销售，凭借较强的研发设计能力、安全可靠的产品质量和完善的营销服务体系，公司逐步构建了上游功率芯片、下游运动控制产品协同发展的业务体系，形成了品牌影响力和业务规模不断扩大的良性发展态势。

据招股书显示，公司运动控制器的下游客户主要以中大型电动车整车厂商为主，该等客户的终端产品市场定位注重品牌形象、对运动控制器品质要求较高，公司报告期内对上述客户的业务规模持续增长、市场占有率不断提升。具体如下：

技术特点方面，协昌科技致力于从“软件+硬件”两方面建立和巩固产品技术优势，软件方面，公司自主研发并推出了矢量变频控制方案、应用Q轴非对称注入算法的无霍尔电机控制方案等多种控制方案，控制信号输出较为稳定、运行效率较高，有效降低运行噪音和性能损耗；

硬件方面，公司深入MCU参数定义、电子线路布图及应用功能拓展等方面的研究，自主研发并形成了大电流电子线路布线、MOSFET并联均流等核心技术，有效提升产品性能及稳定性。

功率芯片，尤其是高端的MOSFET、IGBT等产品长期以来被国外企业垄断，美国、欧洲、日本、韩国的芯片厂商凭借自身的市场先发优势，占据了国内的MOSFET主要的市场份额。近年来，中国本土企业在技术上不断发展，逐渐打破了国内功率芯片市场受制于国外技术垄断的局面，质量优势和价格优势已经逐渐体现，并获得市场认可。

协昌科技以子公司凯思半导作为功率芯片业务经营主体，专业从事功率芯片的研发设计及销售，逐步开发并建立了沟槽型MOSFET（Trench-MOSFET）、屏蔽栅沟槽型MOSFET（SGT-MOSFET）、超结MOSFET（SJ-MOSFET）等产品线，形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司功率芯片研发中心先后被评为苏州市高品质微控制器及功率器件工程技术研究中心、江苏省功率半导体器件（MOSFET）工程技术研究中心。

据了解，协昌科技正积极筹备深沟槽栅极型超结功率MOSFET研发、内置快恢复二极管的超结功率MOSFET研发、基于SGT架构的新型IGBT芯片研发等一系列具有前瞻性的研发项目开展，不断提高自身的核心竞争力，巩固并提高现有的市场地位，推动高端功率芯片的国产化进程。

免责声明：市场有风险，选择需谨慎！此文仅供参考，不作买卖依据。

责任编辑：kj005