氮化镓（GaN）被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

根据弗若斯特沙利文的资料，预计到2028年，氮化镓市场规模将达到人民币501.4亿元，占全球功率半导体市占率提升至10.1%，并占全球功率半导体分立器件市场的24.9%。每一次新材料的发明和应用，都是对行业的冲击，冲击中既有挑战，也蕴藏着机遇。在这个领域中，英诺赛科凭借研发创新、成本控制、产能扩张以及全球化布局等多方面的连续投入，已然成为行业的领军者。

英诺赛科作为全球领先的第三代半导体高新技术企业，旗下氮化镓主力产品包括InnoGaN系列、VGaN系列等，产品组合涵盖高、中、低电压，产品研发范围覆盖15V至1200V，公司基于成熟可靠的主力产品及雄厚的研发制造能力，向下游用户提供整体解决方案。经过多年的研发深耕，英诺赛科已经实现了从初创企业到独角兽企业的跨越式发展，英诺赛科于2023—2024年，连续2年入选“胡润全球独角兽榜”。

据悉，英诺赛科在骆薇薇博士的带领下，一直致力于第三代半导体氮化镓研发与应用，为氮化镓功率半导体产业的蓬勃发展奠定坚实基础。透过招股书来看，最近三年英诺赛科业务高速增长，收入复合年增长率高达194.8%，这一业绩无疑令人瞩目。其背后的推动力，除了全球氮化镓下游应用的爆发性增长，还有公司富有前瞻性的战略布局。英诺赛科采用独特的IDM模式，全方位投入产品设计、工艺制造、测试及下游应用等环节，这不仅保证了技术的领先地位，更使得公司能够精准满足市场对高品质氮化镓产品的迫切需求。

虽然从财务角度看，英诺赛科尽管2023年经调整后的净亏损仍有10.16亿元，但与2021年相比，亏损幅度明显缩小。分析人士指出，这主要得益于公司成本控制能力的显著提升以及规模化生产带来的经济效益。更重要的是，过去三年累计的亏损主要来源于上市前的股权融资和股权激励支出，而非主营业务亏损，这进一步反映出英诺赛科对长期发展和人才激励的重视。

英诺赛科的财务状况正在持续改善中。公司在研发、产能扩张以及全球化布局方面的连续投入，为其长期发展注入了强劲动力。同时，冲刺港股上市有望为公司带来新的资本注入，并推动技术的研发与市场的进一步开拓。

自成立以来，英诺赛科始终走在全球功率半导体革命的前沿，致力于推动氮化镓技术的创新与应用。目前，英诺赛科已在中国苏州建立全球研发中心，将其定位为第三代半导体材料及芯片的领先研发中心。经过多年的研发深耕，英诺赛科已在氮化镓芯片设计领域积累了丰富的技术经验，拥有自主知识产权，形成了完整的技术体系。

截至2023年12月31日，英诺赛科的研发工作已累计获得213项专利，其中包括173项发明专利及40项实用新型专利，以及480项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。公司持续夯实研发技术，加大研发投入，2021年至2023年，研发投入人民币15.92亿元。

凭借强大的技术创新实力及领先的量产能力，英诺赛科已成为氮化镓功率半导体产品的全球领导者。按折算氮化镓分立器件出货量统计，公司于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率达42.4%。

分析人士指出，随着英诺赛科加码技术研发，持续拓宽新能源汽车、数据中心等极具增长潜力的市场应用场景，公司还将进一步提升其在氮化镓功率半导体行业的全球竞争力，引领新一轮的能源技术革新浪潮；未来几年，氮化镓功率半导体行业也将迎来前所未有的发展机遇，为全球绿色能源转型贡献力量。