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存储革命--MRAM (2)
杜嘉 2001-01-16 11:48:09

  MRAM的妙处

  MRAM和DRAM有着非常重大的差别。MRAM芯片可以在没有电力的情况下依靠磁的极性来保存数据,而DRAM在失去电力以后则会丢失它之前保存的所有数据。就是这个因素引起了翻天覆地的变化。采用这种非易失性内存最显而易见的好处是计算机似乎已经不需要再有什么重启的时间了(当然你主动重启例外)。这简直完全改变了我们使用电脑的习惯。我们知道每次按下电源,然后花费1分钟左右的时间等待电脑就绪,这样的过程使得电脑和其它家用电器插上电源即可使用的方式比起来是多么不同。但或许正因为如此,对很多上了年纪的人来说电脑看起来是那么难以掌握。要想让电脑彻底融入人们的生活,首先就必须解决使用习惯上的差别。这也许就能够解释Parkin为何显得如此着急。要是这项技术获得成功,也就意味着无论何时我们都可以“立即”使用电脑了。

  Parkin描述了MRAM的基本原理,他是从DRAM的原理开始的,这种动态存储器依靠电容上存储的电荷来暂存信息。但电容上的电荷始终会发生泄漏,因此就必须不断地动态刷新电容否则数据就会丢失。在一个典型的基于DRAM的机器上,操作系统和应用程序是被存储于硬盘驱动器上的。所以当计算机每次被你加电唤醒过来的时候,你就必须花费几分钟来等待,这期间计算机就会把存储在硬盘的操作系统以及你已经决定了在启动时需要加入的程序载入到DRAM里来,在这里微处理器才能够很快速地访问。如果你的计算机突然掉电,则所有保存在DRAM中的数据都会丢失,下次要用你又得等待那个烦人的导入过程。

  用MRAM替代DRAM以后,你的计算机将象其它的电器设备那样,一按开关机器就立刻运行起来,并进入到就绪状态。当你关闭掉PC,MRAM芯片将保留所有它已经载入的东西,包括操作系统和应用程序。MRAM是一种非易失性的内存,这意味着它一定是基于某种固态的设计,在芯片上的设计不必周期性地刷新。实际生活中还有另外一个非易失性芯片的典型范例——Flash Memory,这已经被广泛采用在了像MP3播放器、数字照相机之类的设备上。为什么不使用Flash Memory来作为立即启动PC的主存呢?原因很简单,因为它有一个天生的无法克服的弊病,Flash内存单元在每次进行写操作的时候都会被损坏一点,所以大约进行了10 000次读/写周期以后,它们就报废了。因此这种内存只适合于消费电器市场,而它缺乏长期可靠性成为桌面电脑内存的致命伤。

  内存的世界里有一些因素是至关重要的,芯片必须具有非易失性,电能消耗较低,价格便宜。但我们到现在也找不到一种可以满足上面所有要求的内存。我们今天所拥有的非易失性内存慢而且不够好,而动态随机存储器虽然够快但又会在掉电后失去数据,这一切都为新产品来替代注入了动力。

  Parkin已经制造出了MRAM芯片的原型,它大约能够存储1kB的数据。然而这并不够,他自信能够在未来的数年内迅速扩大这种内存的容量,以生产出一种芯片比我们现在使用的更小更快,能存储更多的数据,而且比DRAM更加便宜的内存。虽然Parkin现在并不愿准确说明IBM要用多久能够达到这一点,但分析家认为5年之内必有成效。

  要在5年内全面替代当前的内存标准,这听起来非常乐观。1999年全球范围的DRAM市场有210亿美元,到2000年底预计可以增长44%达到300亿美元,而每年40%的增幅至少会持续到2002年。不过持有这种观点的并不止IBM一家,其他的商业研发实验室如Motorola和Honeywell也确信很快就会有大的变革到来。他们正开始投资MRAM项目。Intel、Hewlett-Packard、Toshiba、Siemens和Bosch也在对MRAM进行试验,所有人都想跑到IBM的前面,当成百万的计算机使用者开始升级他们的PC到开机即用的时候,谁站在前面也就意味着抓住了巨大的潜在利益。
  我们问Parkin怎样才能在这么多的竞争对手中抓住MRAM市场。得到的回答是,IBM已经有了10-15个关于MRAM的专利。其中有2个非常重要:一个是针对带磁内存单元本身的,而另外一个则是关于芯片架构的。确实过去他们曾经非常成功地站在了领导主流产品材料的前沿,这包括在磁盘驱动器中GMR巨磁阻技术和铜互连导线等。以后IBM在MRAM技术方面真的很有竞争力。

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