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存储革命--MRAM (1)
杜嘉　2001-01-16 11:49:03

　　这绝对是IT发展史上值得纪念的人物，过去他曾经为静态存储设备的发展做出过卓越贡献，如今他将引发一场计算机存储方式的革命。这场风暴不但会全面提升如今计算机的运算速度，更重要的是它将打破我们已经适应的习惯。现在Stuart Parkin正致力于改造RAM（随机访问存储器），在不久的未来，我们也许就不必在一次又一次的重新启动上浪费时间了。

　　简述

　　在过去的10年里，这位年过40，出生于英国的物理学家Parkin凭借其出色的研发能力已经成为IBM在磁存储方面的首席研发专家。早在90年代的初期，Parkin就为硬盘发明了一种新的读/写装置，现在我们把这种技术叫做巨磁阻GMR磁头。我们知道越小的磁体其磁极就会越不稳定，常常会出现南北极迅速翻转甚至磁性消失的现象，而这样的情形就成了存储设备提升容量的严重障碍。而GMR技术正是通过帮助提升更小磁块的稳定性戏剧性地改善了存储数据的可靠性。在今天，这已经成为每一块硬盘都会用到的技术。
　　最近几年，Parkin把他研究的重点从静态硬盘驱动器存储设备转移到了动态内存技术和当前发展革新中的新芯片MRAM上。这种拥有很多微小磁体，受到磁力控制，有磁性的随机访问内存（magnetic random-access memory）很有希望在未来最终替代掉目前全世界范围内超过有3亿台PC机上正在使用的动态随机访问存储器DRAM（dynamic random-access memory）。如果这样的变迁只是像DDR SDRAM或Rambus内存替换SDRAM那样仅仅带来速度的变化，我们绝对不会认为这是一场存储革命，不过问题并不是这样简单。

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