摘要：汉骅半导体以自研“无损去硅+混合键合”技术打造中国芯，实现8寸全色硅基氮化镓LED与CMOS芯片的高度兼容，将发光单元微缩至微米级乃至纳米级，适用于近眼显示，有望将AR/VR核心器件成本下降30%。

随着苹果Vision Pro、Meta Quest等产品的迭代，近眼显示技术正从概念走向消费级应用。然而，制约AR/VR普及的核心瓶颈——Micro-LED微显示屏的规模化量产，长期悬而未决。近日，苏州汉骅半导体有限公司（下称“汉骅半导体”）宣布，其自主研发的“8寸全色硅基氮化镓Micro-LED标准工艺平台”正式建成并开放代工服务，成功打通了从外延生长、无损去硅到CMOS集成的全流程工艺链路。这一突破被业内视为Micro-LED产业化的重要里程碑，有望大幅降低近眼显示核心器件的成本，加速AR/VR眼镜走向大众。

万亿市场的“卡脖子”难题

根据IDC预测，2026年全球AR/VR相关投资支出将达509亿美元，到2029年全球智能眼镜出货量有望突破4000万台。业界普遍认为，随着Micro-LED等核心技术的成熟，近眼显示有望催生万亿美元级别的产业生态。

Micro-LED因其超高亮度、超长寿命、极低功耗等特性，被公认为近眼显示的“终极方案”。然而，量产之路横亘着三道工艺鸿沟：大尺寸硅基氮化镓外延均匀性差；氮化镓薄膜与CMOS驱动芯片难以高效集成；全彩化键合精度要求极高。

“过去几年，许多企业推出了Micro-LED样品，但能稳定量产、满足消费级成本的极少。”一位显示行业分析师指出，“问题不在设计，而在工艺——如何将微米级的发光单元无损地转移到CMOS背板上，并保证每一颗像素都亮、都均匀，这是真正的‘卡脖子’环节。”

自研三大技术突破

汉骅半导体此次发布的8寸标准工艺平台，核心在于三项自主技术：

· 晶圆级无损去硅：可在8寸晶圆尺度上完整剥离氮化镓薄膜，保持其晶格完整性和发光效率，为与CMOS晶圆级键合提供高质量“薄膜引擎”。

· 超高精度混合键合：已于2025年实现3.75微米间距的混合键合量产，键合成品率超过95%，并正向2.5微米工艺研发，未来可支持2560 PPI以上的超高清微显示。

· 多层堆叠全彩：基于3DIC架构，将红、绿、蓝三色Micro-LED外延晶圆通过混合键合垂直堆叠，解决了传统巨量转移方案效率低、良率差的问题。

目前，该平台已实现微米级乃至亚微米级发光单元阵列，且工艺流程与主流8寸CMOS产线高度兼容，可直接利用现有半导体代工厂的成熟设备，大幅降低产线投资门槛。

降本·自主与开放生态

成本是AR眼镜从极客玩具走向大众消费品的最后一道门槛。目前一套高亮度Micro-LED微显示模组成本约200-300美元，占整机BOM的30%以上。若汉骅的平台实现规模化代工并与CMOS产线协同，预计可将模组成本拉低至100-150美元，带动整机售价从1500美元降至800美元以内。

同时，汉骅的突破意味着国产Micro-LED供应链的自主可控。此前，高端氮化镓外延片、精密键合设备及工艺多依赖海外。汉骅已建成国内首条8英寸常温晶圆级异质集成量产线，具备从外延设计到代工交付的一站式能力，可帮助下游企业规避技术“断供”风险。

汉骅此次同时宣布开放代工服务，提供类似半导体PDK的标准化接口，合作伙伴可根据需求定制外延结构、像素阵列和键合方案。公司已与多家头部CMOS代工厂、面板厂商开展联合开发，面向AR/VR、车载HUD、工业头显等场景提供微显示解决方案。汉骅半导体董事长袁义倥表示，通过开放平台让更多设计公司和系统厂商低门槛使用Micro-LED技术，共同做大市场。

挑战与展望

尽管技术突破令人振奋，但Micro-LED的全面普及仍有挑战：红光氮化镓外延效率偏低，全彩堆叠的光学串扰问题有待优化，纳米级发光单元制备工艺尚在探索。据汉骅半导体透露，下一步将持续向更高PPI、更小像素尺寸演进，并探索“多波长外延+色转换”的混合全色方案，预计2026-2027年将有多款基于该平台的消费级AR眼镜面世。

从材料定义性能到平台定义产业，汉骅半导体的8寸Micro-LED标准工艺平台，正为中国在“后摩尔时代”的异质异构集成领域抢下一张关键船票。万亿近眼显示市场的浪潮，或许就从这片8寸晶圆上开始奔涌。

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责任编辑：kj005

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