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M31携手台积电完成 eUSB2V2 在 N2P 工艺流片,强化先进工艺设计 IP 生态系统

M31携手台积电完成 eUSB2V2 在 N2P 工艺流片,强化先进工艺设计 IP 生态系统
2026-04-24 09:11:56 来源:实况网

全球硅知识产权(IP)领导供应商 M31 円星科技(M31)今日于 2026 年台积电北美技术研讨会宣布,其 eUSB2V2 接口 IP 已于台积电(TSMC)N2P 工艺完成流片(Tapeout)。M31 表示,该成果展现公司在先进工艺接口IP的投入,并将强化 2 纳米世代的设计,支援客户于高整合 SoC 中导入高速、低功耗的连结接口。

M31携手台积电完成 eUSB2V2 在 N2P 工艺流片,强化先进工艺设计 IP 生态系统

随着先进节点演进,SoC 朝更高计算密度与更严苛能效(Energy Efficiency)目标迈进,I/O 接口除了需满足高速传输与相容性,必须在更低工作电压与更紧缩的功耗预算下,维持稳健的讯号品质与可制造性。M31 本次完成流片的 eUSB2V2,是针对 TSMC N2P 平台特性进行设计、电路与布局(Layout)层级的协同优化,以提升整体效能与功耗效率,并兼顾面积使用效率与系统整合弹性。

技术重点方面, 在与既有 USB 2.0 生态系統相容的前提下,支援 1.2V/0.9V 低电压操作,通过强化类比前端设计,包含导入可编程传输去加重(De-emphasis)与接收端 CTLE/VGA 等化技术,显著提升在先进工艺下传输通道的稳健性与设计弹性。在性能表现上,eUSB2V2 最高可支援 4.8 Gbps(HS10) 传输速率,并通过全新的等时传输突发机制 (Isochronous Burst) 提高同时传输的效率。eUSB2V2支援非对称频宽的 HSUx/HSDx 模式,预期在标准操作模式下达成 50mW 的极佳功耗表现。搭配N2P 工艺,尤其适合 AI、HPC 与移动设备等追求高效能与低功耗平衡的应用。

针对此次在 N2P 平台的成果,M31 总经理张原熏指出:"2 纳米接口 IP 需贴合工艺平台,方能提升设计效率,并加速上市时程",他进一步分享:"M31 此次完成eUSB2V2 IP 于 TSMC N2P 工艺的流片,正是以平台导向为核心,协助客户更有效率地导入关键接口、缩短从设计推进到量产准备的时间,并强化 2 纳米节点的整体竞争力。"

M31 强调,本次能达成流片的里程碑,来自与 TSMC 在先进工艺 IP 开发的密切合作,包括依循平台设计方法学、针对工艺与 I/O 条件进行电路与布局层级的调校,并配合平台设计参考流程。在 TSMC 先进节点上验证的 IP,有助于提高M31与 TSMC 之共同客户提升接口整合、系统验证和产品进度计划的效率。

展望未来,M31 规划将本次 2 纳米 eUSB2V2 IP 的开发经验延伸更多 TSMC 的先进工艺,并持续支援AI、边缘运算与智能终端等成长动能,同时提升IP 平台之长期价值。

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责任编辑:kj005

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