6月12日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司正式向联交所递交A1招股书,拟赴港上市,中金公司、招银国际担任联席保荐人。

招股书显示,英诺赛科系全球领先的第三代半导体高新技术企业,致力于硅基氮化镓的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地,采用最先进的8英寸生产工艺,系全球产能最高的氮化镓器件厂商。

市场规模将破500亿 行业发展将进入加速期

目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。其中,氮化镓作为第三代半导体材料的典型代表,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,与传统的硅基器件相比,氮化镓传导电子的效率,甚至可以高出1000倍。目前,氮化镓已被广泛应用于新能源汽车、光伏、5G、消费快充等领域。

从产业发展来看,全球氮化镓产业规模正呈现爆发式增长,一条优质赛道进入资本和公众视野。据权威机构预测,氮化镓功率半导体行业,于2019年-2023年,复合年增长率为88.5%,并预期将进一步按98.5%复合年增长率加速增长,由2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的501.42亿元,行业发展空间巨大。

应用领域不断拓宽 技术突破引领行业创新

作为本土首屈一指的第三代半导体企业,英诺赛科在功率器件领域展现出卓越的洞察力,基于在核心技术和关键工艺方面的前瞻性战略及突破,公司于2017年成功研发8英寸氮化镓硅基氮化镓晶圆,并成为全球唯一一家拥有全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品量产能力的IDM公司。

经过多年潜心研发,英诺赛科目前已成为业界少数能够覆盖集晶圆、分立器件、合封芯片三大类的高新技术企业,在消费电子、工控、储能等多个领域均能看到英诺赛科的身影,多家知名品牌均为公司的客户。此外,公司积极推动研发创新和广泛的行业合作,不断扩大氮化镓产品的应用,包括氮化镓驱动器、控制芯片以及封装和测试等领域均率先实现了行业创新。

对于未来的展望,公司表示将持续推进消费电子、数据与计算、新能源、智能汽车、工业与家电等领域的应用开发,提高氮化镓的市场渗透率,推动行业发展,成为全球功率半导体领域的领先企业,为中国第三代半导体产业高质量发展贡献力量。