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英飞凌推出抗辐射太空级氮化镓(GaN)驱动芯片

英飞凌推出抗辐射太空级氮化镓(GaN)驱动芯片
2026-07-22 13:54:50 来源:财闻

7月22日,据财闻海外资讯,德国半导体企业英飞凌于近日发布新型抗辐射栅极驱动芯片RIC70115,专为氮化镓(GaN)功率半导体控制设计,同时兼容硅基器件,适用于卫星等航天系统。

该芯片可有效应对太空辐射导致的性能衰退与电路误动作,其总电离剂量(TID)耐受达100krad(Si),并已通过线性能量传递值(LET)81.9MeV・cm²/mg的高能粒子冲击验证,可覆盖低地球轨道及更高轨严苛环境。

RIC70115集成米勒钳位功能以防电压波动引发误导通,搭载降噪电路抑制电磁干扰,并内置低压差线性稳压器(LDO),可由5V/12V输入生成4.8V驱动电压,减少外围元件使用。产品工作温度为-55℃~+125℃,符合MIL-PRF-38535军工航天标准。

英飞凌高可靠性事业部高级副总裁迈克・米尔斯(Mike Mills)表示,RIC70115将推动航天电力系统GaN技术升级。目前芯片及评估板RIC70115EVAL1已正式上市销售。

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责任编辑:kj005

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