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三星为英伟达下一代NVHBM选用台积电 3nm 工艺制造基底裸片

三星为英伟达下一代NVHBM选用台积电 3nm 工艺制造基底裸片
2026-10-19 13:26:27 来源:财闻

10月19日,据财闻海外资讯,三星电子在开发英伟达(NVDA.US)的下一代定制高带宽内存 (HBM) 时,决定使用台积电(TSM.US)的工艺生产基础芯片(核心部件)。

英伟达要求三星电子、SK 海力士和美光科技(MU.US)(今年8月推出的定制 HBM)生产 NVHBM 的供应商,在台积电的3纳米工艺上制造基础芯片,并在第六代 DRAM 工艺上标准化核心芯片 (1c),因为供应商之间的制造方法不一致,很难一致地提供设计性能。

这是三星电子首次在 HBM 制造阶段而非封装阶段与台积电合作,标志着三星电子改变了内部生产核心芯片和基础芯片的交钥匙方式。三星电子计划坚持其标准 HBM 产品和为 AMD 等其他客户定制 HBM 的统包战略,并表示还在测试使用自己的代工厂的可能性,以防 NVHBM 需求超过台积电的产能。

关键词: 三星 英伟达

责任编辑:kj005

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