暗电流 0.002 e⁻/pixel/s（−30 ℃）、读出噪声 0.29 e⁻，与同级 qCMOS 横向对照

光致发光成像是光学材料科研中的高频测试手段。单晶与多晶荧光屏的发光信号弱、动态范围大，相机端的噪声水平与灵敏度直接决定图样细节能否被完整记录。

近期完成的一项对照测试，将深视智能 Solis B0555 Pro sCMOS 相机与同级 qCMOS 机型置于同一光学暗室环境中，对单晶硅与多晶硅荧光屏分别成像。本文依据测试记录，整理该试验的背景、方案与结果。

试验背景：弱信号、高动态的荧光成像工况

单晶与多晶荧光屏的光致发光成像具有弱信号、高动态范围的典型特征，是检验成像设备荧光成像综合性能的有效测试场景，也是光学材料科研中高频应用的测试方式。

普通相机受噪声、动态范围与灵敏度的硬件限制，难以准确呈现荧光屏的真实发光状态。本次试验采用深视智能 Solis B0555 Pro sCMOS 相机，围绕弱光信号捕捉、噪声抑制与大范围动态成像三个方向进行验证，并以同级 qCMOS 机型作对照，为同类光致发光实测的设备选型提供参考。

试验方案：光学暗室内的对照采集

试验在光学暗室环境下完成，以规避杂散光干扰。

流程分为三步。首先搭建并校准光学测试平台，固定激光激发模组与成像工位，确保光路稳定、无机械振动干扰。随后搭载 Solis B0555 Pro sCMOS 相机，微调成像焦距、视场范围与采集参数，适配荧光微弱信号采集与大动态范围成像的需求。设备工况稳定后，依次完成单晶硅、多晶硅荧光屏的成像采集，对照机型为 qCMOS。

图 1｜试验装置实拍：光学暗室内的激光激发模组与成像工位

对比结果：单晶硅与多晶硅成像

两项核心参数构成对照基准：Solis B0555 Pro 的暗电流为 0.002 e⁻/pixel/s（制冷至 −30 ℃），读出噪声为 0.29 e⁻。按测试记录的结论，在信号获取与噪声抑制两方面，该机达到或超越同级 qCMOS 水平。

项目记录值

被测机型深视智能 Solis B0555 Pro（sCMOS）

对照机型qCMOS【待补充：具体型号】

暗电流0.002 e⁻/pixel/s（−30 ℃）

读出噪声0.29 e⁻

单晶硅荧光屏曝光时间5 s

多晶硅荧光屏曝光时间20 s

测试环境光学暗室，激光激发模组照明

单晶硅荧光屏（曝光 5 s）。图 2 给出两者的成像对照，左侧为 qCMOS，右侧为 Solis B0555 Pro。两侧图像均完整呈现由中心亮斑、同心环与周边光点构成的发光图样。与测试结论一致，Solis B0555 Pro 记录的图样在背景纯净度与边缘清晰度上不逊于对照机型，0.29 e⁻ 的读出噪声使微弱发光细节不被读出环节掩盖。

图 2｜单晶硅荧光屏光致发光成像对比（曝光 5 s；左：qCMOS，右：Solis B0555 Pro）

多晶硅荧光屏（曝光 20 s）。图 3 为 20 s 曝光下的对照，两侧图像均呈同心环状的发光分布。长曝光条件下，暗电流累积会持续抬高背景灰度，低暗电流在这一场景中的意义直接：背景不随曝光时间显著抬升，弱环结构得以保留。Solis B0555 Pro 在 −30 ℃ 下 0.002 e⁻/pixel/s 的暗电流即为该环节的支撑。

图 3｜多晶硅荧光屏光致发光成像对比（曝光 20 s；左：qCMOS，右：Solis B0555 Pro）

研究者视角的使用评价

从测试数据的指向看，后续可向使用方核实的方向包括：

· 与 qCMOS 相比，购置成本与交付周期的实际差异；

· 长时间序列采集中，−30 ℃ 制冷下暗电流的长期稳定性；

· 亮暗共存的大动态荧光图样中，单帧成像的灰度层次表现。

结语

本次对照测试给出的参考较为明确：依托 0.29 e⁻ 读出噪声与 −30 ℃ 下 0.002 e⁻/pixel/s 的暗电流，Solis B0555 Pro 在单晶与多晶荧光屏的光致发光成像中，取得了与同级 qCMOS 相当或更优的信号获取与噪声抑制表现。对以弱信号、高动态为特征的荧光成像任务，这是一个可纳入选型对照的实测样本。

免责声明：市场有风险，选择需谨慎！此文仅供参考，不作买卖依据。

责任编辑：kj005

文章投诉热线:157 3889 8464  投诉邮箱:7983347 16@qq.com