据财闻海外资讯，近日，在美国加州圣克拉拉举办的台积电（TSM.US）开放创新平台（OIP）大会上，SK海力士（SKHY.US）对外公布下一代内存产品组合与技术发展战略，并再度拿下台积电年度合作伙伴奖，夯实双方深度合作关系。

本次展会SK海力士完整陈列多层级内存解决方案，覆盖HBM、服务器DRAM、企业级SSD，全方位支撑AI算力运算与数据存储需求。

HBM展区展出了英伟达Vera Rubin超级芯片，芯片搭载SK海力士12层 36GB HBM4以及96GB SOCAMM2内存模组。12层36GB HBM4直接集成于Rubin GPU 核心周边，作为高带宽数据通道，缓解复杂矩阵运算带来的数据传输延迟。SOCAMM2则作为VeraCPU的主系统内存，支撑复杂计算和海量数据流转，帮助AI智能体可以把长对话上下文实时体现在回复结果中。

超级芯片展品周边，并排陈列核心HBM产品阵列：12层48GB HBM4E、16层48GB HBM4、12层36GB HBM3E，以及实物 192GB SOCAMM2模组。

展台左侧集中展示下一代服务器DRAM与SSD全系列产品。服务器DRAM阵列包含面向AI负载打造的行业最大容量256GB 3DS RDIMM、高带宽 128GB MRDIMM，以及全球首款采用10nm级第六代（1c）工艺的64GB RDIMM。

责任编辑：kj005

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