9月29日消息，据路透社报道，三星电子高管披露，预计2027年高带宽内存（HBM）将占到DRAM芯片制造商总晶圆产能的近30%，这一比例较当前约20%的水平将出现显著提升。

三星电子副总裁金泰宇在相关场合表示，HBM与标准DRAM共享同一条晶圆产能线，两大产品线直接争夺相同的制造资源，这意味着后续HBM产量的持续扩张，将直接对标准DRAM的市场供应形成限制。

作为AI算力体系中的核心元器件，HBM通过多层存储芯片垂直堆叠的特殊结构，能够让AI处理器以远超传统内存的速度读取和传输海量数据，是当前大模型训练、AI推理集群落地过程中不可或缺的硬件支撑。当前全球HBM市场呈现高度集中的寡头格局，主要由韩国SK海力士、三星电子以及美国美光科技三家企业主导。

结合近期行业动态来看，全球DRAM市场正处于AI需求驱动的超级上行周期，头部存储厂商纷纷将先进制程产能向HBM与高端DDR5倾斜，已有多家机构预测，全球服务器DRAM供不应求的态势将至少延续至2027年。随着三星等头部厂商持续调高HBM的产能占比，原本就偏紧的标准DRAM供给将进一步承压，后续消费级、传统服务器场景的存储芯片价格走势，也将受到这一产能结构调整的直接影响。

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