关键词：常温键合；第三代半导体；异质集成；半导体设备；青禾晶元；半导体技术突破；碳化硅(SiC)；氮化镓(GaN)；超高真空键合；先进封装；摩尔定律

随着5G/6G通信、新能源汽车与人工智能对芯片性能提出极限要求，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体异质集成技术，已成为延续摩尔定律、突破性能瓶颈的关键。然而，传统高温键合工艺导致的热应力损伤、材料失配与界面氧化问题，长期制约着该技术的进一步发展。

面对这一严峻挑战，行业该如何破局？青禾晶元凭借其已通过量产验证的全自动超高真空常温键合设备与成熟工艺，给出了答案：即以“超高真空+表面活化+常温键合”为核心的完整解决方案，为行业突破热敏感材料集成瓶颈提供了可靠的技术路径。

技术突破：重新定义常温键合工艺

青禾晶元常温键合解决方案的核心，是在常温环境下，实现晶圆间高强度、高洁净的原子级结合。其卓越的工艺一致性与可靠性，通过以下两大核心步骤予以保障：

1. 超高真空原子级活化：在≤5E-6Pa超高真空环境中，通过粒子束轰击晶圆表面，彻底去除氧化层和污染物，实现晶圆表面的原子级洁净与活化，为键合创造完美界面。

常温精密压力键合：在常温环境下，对活化后的晶圆进行微米级精准对位与精准施压，促使表面原子直接形成高强度共价键，实现原子级尺度的永久结合。

超高真空常温键合原理

核心价值：定义异质集成制造的新标准

青禾晶元常温键合技术为产业带来了四大核心价值：

1. 高洁净界面，高键合强度：采用超高真空环境结合表面活化技术保障界面洁净，从而实现＞2J/m²的键合强度。

2. 无热应力与热损伤：全程常温键合工艺，完美保护热失配材料与精密器件。

3. 适配异质材料键合：突破材料晶格失配限制，已成功实现Si、SiC、GaN、玻璃乃至金属等多种材料的异质集成。

高精度，高产能：全自动化操作，结合±1 μm级的对准精度与±1%的控压精度，保障工艺的一致性与高良率，为规模化生产奠定了基础。

高温键合、常温键合晶圆翘曲对比图

产业验证：在关键领域实现性能与成本双重优化

青禾晶元的常温键合技术已成功解决了多项产业化难题，实现了可量产的性能突破。特别是在以下两个关键应用中取得的显著成效：

应用一：GeOI产业化实现三大突破

在光电子与高速器件领域，绝缘体上锗（GeOI）衬底因其优异的光电特性备受期待，但锗材料热导率低、界面不稳定及传统制备成本高昂，使其长期停留于实验室。青禾晶元常温键合技术的应用实现了三大突破：

1. 热管理突破：避免了高温热应力，将高质量锗薄膜直接键合于高阻硅衬底，实测散热效率提升超40%。

2. 界面强度与良率保障：键合有效面积稳定在95%以上，为高一致性制造奠定基础。

3. 高效成本控制：设备支持混线生产并集成材料回收模块，使8英寸GeOI衬底单片生产成本降低60%以上，扫清了规模化应用的最大障碍。

应用二：攻克SiC基铌酸锂薄膜，推动SAW滤波器迈入5G高频时代

为满足5G/6G射频前端对高性能、低成本衬底的迫切需求，需将高性能压电材料（如铌酸锂）与理想衬底结合。青禾晶元技术已成功实现碳化硅（SiC）基铌酸锂（LiNbO₃）薄膜衬底的异质集成突破：

1. 性能突破：制备的SiC/LN复合衬底完美结合了SiC的高频散热优势和LN的高机电耦合特性，基于此，谐振器在5GHz下实现了 Qmax > 700，K² > 20% 的卓越性能。

2. 攻克热失配难题：常温工艺彻底避免了SiC（4.0×10⁻⁶/K）与LiNbO₃（15×10⁻⁶/K）的热膨胀系数差异带来热失配问题。

3. 量产保障：实现6英寸晶圆规模化制备，生产良率稳定在95%以上，为5G N77/N78等关键频段提供了高可靠、可量产的解决方案。

赋能未来：从技术验证到产业生态的可靠伙伴

目前，青禾晶元的解决方案已在第三代半导体的异质集成、MEMS、先进封装、光电集成等多个前沿领域实现规模化应用。基于广泛的市场验证，青禾晶元凭借其在超高真空常温键合领域的技术和领先性，已发展成为国内市场占有率领先的主导力量，正持续赋能全球头部客户的产品性能跃升与量产导入。

作为异质集成领域的技术引领者，青禾晶元承诺：将持续深耕“原子级制造”核心能力，通过更先进的工艺平台与全栈式解决方案，与产业链生态伙伴紧密协作，共同解锁半导体键合技术的无限潜能，为构建更高效、更智能的半导体未来贡献力量。

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责任编辑：kj005

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